[发明专利]金属氢氧化物插层一维纳米金属氧化物、制法及抽离方法

摘要

本发明公开了一种结构可逆转换一维锰氧化物及其插层金属氢氧化物的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明利用金属氧化物的一维结构稳定性特性，制备出一维纳米结构金属氧化物，再通过在一维纳米结构金属氧化物中插入金属氢氧化物的方法制备出插层材料，最后通过氨水将金属氢氧化物置换出来使得一维纳米金属氧化物得以恢复。本发明首次开发出用氨水抽取金属氢氧化物使一维纳米金属氧化物得以复原的方法。该方法工艺简单，成本低廉，可以实现工业化大规模生产。

主权项

1.一种金属氢氧化物插层一维纳米金属氧化物材料的抽离方法，其特征在于，具体按照如下步骤实施：S1：一维纳米锰氧化物的制备S11：分别配制0.05～0.5mol/L锰盐溶液和3～10mol/L碱溶液，并将所述锰盐溶液和碱溶液冷却至5℃；S12：将冷却后的锰盐溶液和碱溶液倒入三口烧瓶中，Mn²⁺：OH^‑的混合摩尔比为0.004～0.135：1，快速搅拌，并通入2～8L/min的纯氧气，反应10～60min，之后停止通入氧气再继续反应老化3～4h；S13：反应后得到的沉淀物用去离子水洗涤至洗液呈中性，过滤后所得湿润滤饼，即为一维纳米锰氧化物；S2：插层材料的制备配制0.01～1.0mol/L的金属盐溶液，在室温下与S1制备得到的一维纳米锰氧化物混合，金属盐溶液中金属离子的摩尔数和一维纳米锰氧化物质量比为0.003～1mol：10g，调节混合液的pH至8.0～10.5，继续搅拌至pH值恒定，去离子水洗涤后，置于晶化釜中于0～200℃晶化0～24h，即得插层材料；S3：抽离将所述金属氢氧化物插层一维纳米金属氧化物加入到2～14.8mol/L抽离溶液中，室温下搅拌0.5～2h，即可将金属氢氧化物插层从一维纳米锰氧化物中置换出来，使一维纳米锰氧化物结构得以恢复，所述抽离溶液为5～12mol/L的氨水。