[发明专利]氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710538259.5 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107527946A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 林振国;谢志强;李建;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜，所述氧化物半导体薄膜的成分为In4‑4x‑4yM4xN3yO6‑z，其中，In为铟元素，O为氧元素；M成分由元素周期表中的III B族元素中的一种或多种元素组成，用于抑制由氧空位导致的载流子浓度；N成分由Zr、Si、Hf中的一种或多种元素组成，用于增加因掺杂而引入的载流子浓度；氧化物半导体薄膜的厚度为5nm至100nm，0.02≤x≤0.2，0.05≤y≤0.2，0≤z<6。本发明还提供了一种采用该氧化物半导体薄膜作为有源层的薄膜晶体管及其制备方法。实施本发明提供的技术方案，可提高器件的迁移率、稳定性、抗酸刻蚀性和关断性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述氧化物半导体薄膜的成分为In4‑4x‑4yM4xN3yO6‑z，其中，In为铟元素，O为氧元素；M成分由元素周期表中的III B族元素中Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中的一种或多种元素组成，用于抑制氧空位及抑制由氧空位导致的载流子浓度；N成分由Zr、Si、Hf中的一种或多种元素组成，用于增加因掺杂而引入的载流子浓度；并且，所述氧化物半导体薄膜的厚度为5nm至100nm，0.02≤x≤0.2，0.05≤y≤0.2，0≤z<6。
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