[发明专利]可见光波段的集成石墨烯二硫化钼的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种可见光波段的集成石墨烯二硫化钼的光电探测器及其制备方法。本方法提供的可见光光探测器，包括单晶硅衬底、二氧化硅介质层、氮化硅波导层、SU8波导、连续的二硫化钼层、连续的石墨烯层、金属电极。通过利用单层二硫化钼对可见光的强吸收和石墨烯的超高电子迁移率，我们得到了在可见光波段的高响应率光探测器。通过结果分析表明，本发明的一种可见光波段的集成石墨烯二硫化钼的光电探测器得响应度可达32 A/W,可用于制作大规模集成光电系统。

主权项

1.一种可见光波段的基于氮化硅波导集成石墨烯二硫化钼的光电探测器，其特征在于，包括单晶硅衬底、二氧化硅介质层、氮化硅波导层、SU8波导、连续的二硫化钼层、连续的石墨烯层、金属电极；单晶硅衬底的表面沉积二氧化硅介质层，二氧化硅介质层的表面为氮化硅波导层，SU8波导位于氮化硅波导层的两端之上，连续的二硫化钼层平铺于氮化硅波导层之上，与二氧化硅介质层接触，连续的石墨烯层平铺于连续的二硫化钼层之上；金属电极位于氮化硅波导层两侧，与连续的石墨烯层接触；所述的连续的石墨烯层厚度为0.5nm～2nm或者/和面积为1～9㎝2，所述的连续的二硫化钼层厚度为0.5～2nm或者/和面积为1～2㎝2。