[发明专利]一种Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710537533.7 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107342362A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 吴冬燕;章雯;吴阳江 | 申请（专利权）人： | 苏州工业职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 刘艳艳,董建林 |
| 地址： | 215104 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高稳定性相变存储器的Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜，所述Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜化学组成符合化学通式MgxSbySe100‑x‑y，其中0.10<x<30.00，20.00<y<80.00；采用磁控溅射方法生长于SiO2/Si(100)基片上；本发明提供的Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜及其制备方法，能够应用于相变存储器，=具有如下优点首先，Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；其次，Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料具有较高的激活能，从而能够极大的改善PCRAM的热稳定性；再次，Mg‑Sb‑Se相变材料中不含有有毒、易挥发的Te元素，因而相比传统的Ge2Sb2Te5材料，对人体和环境的影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mg sb se 纳米 相变 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜，其特征在于：所述Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜化学组成符合化学通式：MgxSbySe100‑x‑y，其中0.10<x<30.00，20.00<y<80.00。
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