[发明专利]一种基片集成波导扭关节

摘要

本发明属于毫米波段扭关节的设计与制造领域，提供一种基片集成波导扭关节结构，用以克服现有基片集成波导扭关节体积过大的缺陷。本发明包括相互垂直设置的一个水平基片集成波导和一个垂直基片集成波导、两者呈“I”型连接，通过在水平基片集成波导和垂直基片集成波导中分部合理设置金属化匹配通孔实现电磁能量的过渡，完全省去较长的渐变过渡区域，结构更加紧凑，与现有基片集成波导扭关节结构对比，本发明的过渡区域长度缩短了74％，在毫米波频段能够大大减小基片集成波导扭关节的体积，达到了小型化紧凑型基片集成波导扭关节的目的。

主权项

一种基片集成波导扭关节，包括一个水平基片集成波导(1)和一个垂直基片集成波导(2)，所述水平基片集成波导(1)由依次重叠的第一底层敷铜层(13)、第一介质基片(12)及第一顶层敷铜层(11)构成，所述垂直基片集成波导(2)由依次重叠的第二底层敷铜层(23)、第二介质基片(22)及第二顶层敷铜层(21)构成；其特征在于，所述第一介质基片(12)中包含第一金属化匹配通孔(121)、两排第一平行金属化通孔(122)和一排金属化短路孔(123)，所述金属化短路孔垂直设置于第一平行金属化通孔的末端处、并将两排第一平行金属化通孔短路，所述第一金属化匹配通孔位于两排第一平行金属化通孔内侧；所述第二介质基片(22)中包含第二金属化匹配通孔(221)、两排第二平行金属化通孔(222)和基片集成波导90度拐角(223)，所述基片集成波导90度拐角设置于第二平行金属化通孔末端处，所述第二金属化匹配通孔位于基片集成波导90度拐角的角平分线上；所述水平基片集成波导与垂直基片集成波导相互垂直设置、并呈“I”型连接，所述第一顶层敷铜层(11)上对应于垂直基片集成波导开设有耦合槽(111)，电磁能量通过耦合槽(111)从水平基片集成波导耦合至垂直基片集成波导中。