[发明专利]一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件有效
| 申请号： | 201710530053.8 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107293585B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;汤清溪;张龙;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;东南大学-无锡集成电路技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其上设有N型缓冲区和P型体区，在N型缓冲区内设有P型集电极区，其上连接有集电极金属，在P型体区内设有N型发射极区，其右侧设有P型发射区，在发射极区上连接有发射极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在N型发射区左侧设有纵向沟槽，在其内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的多晶硅层，其上连接有栅金属，在纵向沟槽的左侧设有P型发射极区块体，其上连接有发射极金属，在场氧层与P型发射区之间设有纵向沟槽，在其内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的多晶硅层，其上连接有栅金属，在栅金属和发射极金属之间设有氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 断绝 缘体上硅 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型漂移区(20)，在N型漂移区(20)的两侧分别设有N型缓冲区(10)和P型体区(7)，在N型缓冲区(10)内设有重掺杂的P型集电极区(9)，重掺杂的P型集电极区(9)上连接有集电极金属(19)，在P型体区(7)内设有重掺杂的N型发射极区(11)，在重掺杂的N型发射极区(11)的右侧设有重掺杂的P型发射区(8b)，在上述重掺杂的P型发射极区(8b)和重掺杂的N型发射区(11)上连接有第二发射极金属(15)，在N型漂移区(20)的上方设有场氧层(18)，所述场氧层(18)的一侧边界落在N型缓冲区(10)的上方，另一侧边界与P型体区(7)相接，其特征在于，在重掺杂的N型发射区(11)左侧设有第一纵向沟槽(3)，在第一纵向沟槽(3)内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的第一多晶硅层(4)，在第一多晶硅层(4)上连接有第一栅金属(12)，在第一纵向沟槽(3)左侧设有重掺杂P型发射极区块体(8a)，发射极区块体(8a)间隔分布，发射极区块体(8a)上连接有第一发射极金属(22)，在场氧层(18)与重掺杂的P型发射区(8b)之间设有第二纵向沟槽(5)，在第二纵向沟槽(5)内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的第二多晶硅层(6)，在第二多晶硅层(6)上连接有第二栅金属(17)，在第二栅金属(17)和第二发射极金属(15)之间设有氧化层(16)，在第一栅金属(12)和第二发射极金属(15)之间设有氧化层(13)，在第一发射极金属(22)和第一栅金属(12)之间设有氧化层(14)。
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