[发明专利]一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法

摘要

本发明公开了一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法，其中，所述宽禁带半导体器件的材料为III‑V族宽禁带半导体材料，该材料由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层和合金势垒层，所述方法包括以下步骤：步骤一，沉积钝化层；步骤二，涂覆光刻胶，并形成光刻胶窗口；步骤三，刻蚀钝化层，并形成钝化层窗口；步骤四，涂覆纳米球；步骤五，形成纳米凹槽；步骤六，涂覆光刻胶，并形成光刻胶窗口；步骤七，电子束蒸发或磁控溅射多层金属；步骤八，多层金属的剥离；步骤九，快速热退火，形成欧姆接触。本发明的方法极大增加电极金属与宽禁带半导体的接触面积，降低宽禁带半导体器件的欧姆接触电阻，增强了器件性能，提高工艺效率，降低了工艺成本。

主权项

1.一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法，其特征在于，所述宽禁带半导体器件的材料为III‑V族宽禁带半导体材料，该材料由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层和合金势垒层，所述方法包括以下步骤：步骤一，沉积钝化层在所述合金势垒层上沉积Si3N4或SiO2的钝化层；步骤二，涂覆光刻胶，并形成光刻胶窗口在步骤一所沉积的钝化层上涂覆光刻胶，并通过光刻显影去除欧姆接触电极区域的光刻胶，形成光刻胶窗口；步骤三，刻蚀钝化层，并形成钝化层窗口刻蚀钝化层，完全去除欧姆接触电极区域内的钝化层，形成钝化层窗口，然后去除光刻胶；步骤四，涂覆纳米球用纳米球的悬浊液在步骤三所得的III‑V族宽禁带半导体材料的表面涂覆单层或双层纳米球；步骤五，形成纳米凹槽刻蚀步骤四所获得的III‑V族宽禁带半导体材料的表面，形成纳米凹槽，其中由所述单层或双层纳米球作为刻蚀掩膜板，等离子体通过纳米球间隙刻蚀步骤四所获得的III‑V族宽禁带半导体材料的表面，从而在所述欧姆接触电极区域刻蚀形成大量纳米凹槽，然后去除表面的纳米球；步骤六，涂覆光刻胶，并形成光刻胶窗口在步骤五所获得的III‑V族宽禁带半导体材料的表面上涂覆光刻胶，并通过光刻显影去除欧姆接触电极区域内的光刻胶，形成光刻胶窗口；步骤七，电子束蒸发或磁控溅射多层金属在步骤六所得的III‑V族宽禁带半导体材料的表面上，采用电子束蒸发或磁控溅射多层金属，在欧姆接触电极区域，所述多层金属直接与所述合金势垒层接触；步骤八，多层金属的剥离将步骤七所得III‑V族宽禁带半导体材料的欧姆接触电极区域外的光刻胶与多层金属剥离；步骤九，快速热退火，形成欧姆接触采用快速热退火，在600‑900℃氮气氛围下快速热退火30‑60s，形成欧姆接触。