[发明专利]用于垂直传输场效应晶体管的互连有效
| 申请号： | 201710521073.9 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107564909B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·J·诺瓦克;布兰特·A·安德森 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于垂直传输场效应晶体管的互连，提供垂直传输场效应晶体管的结构及制造方法，该结构包括垂直传输场效应晶体管，其具有位于半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片；以及在该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极。该结构还包括位于该半导体层中所定义的沟槽内的互连。该互连耦接该垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域或该栅极电极，且可用于将该垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域或该栅极电极与另一垂直传输场效应晶体管的源极/漏极区域或栅极电极耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 传输 场效应 晶体管 互连 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：第一垂直传输场效应晶体管，其具有位于半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片，以及位于该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极；以及互连，其位于该半导体层中所定义的沟槽中，该互连耦接该第一垂直传输场效应晶体管的该源极/漏极区域或该栅极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
