[发明专利]具有背对背场效应晶体管的双向开关

摘要

一个双向半导体开关器件包括形成在半导体衬底上的第一和第二垂直场效应晶体管（FET），串联在一起。第一FET的源极在衬底的第一边上，第二FET的源极在衬底的第二边上，第二边和第一边相对。第一和第二FET的栅极都位于一组公共沟槽中，这组沟槽构成半导体衬底的漂流区，漂流区夹在第一和第二FET的源极之间。漂流区作为第一FET和第二FET的公共漏极。

主权项

一种双向半导体开关器件，其特征在于，包括：形成在一半导体衬底上的第一和第二垂直场效应晶体管(FET)，其中第一FET的源极在衬底的第一边，第二FET的源极在衬底第一边相对的第二边上，其中第一和第二FET的栅极置于一组公共沟槽中，这组公共沟槽形成在半导体衬底的外延层中，其中外延层包括一个夹在第一FET源极和第二FET源极之间的漂流区，构成第一FET和第二FET的公共漏极。