[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710515760.X | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107564848B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 许宗翰;王冠程;萧寒稊;蔡释严 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种形成半导体结构的方法包括蚀刻半导体衬底以形成延伸到半导体衬底中的沟槽，以及在沟槽中沉积第一介电层。第一介电层填充沟槽的下部。在含氧工艺气体中在第一介电层上实施紫外线(UV)处理。该方法还包括在沟槽中沉积第二介电层。第二介电层填充沟槽的上部。在额外的含氧工艺气体中在第二介电层上实施热处理。在热处理之后，在第一介电层和第二介电层上实施退火。本发明的实施例还提供了半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成延伸到所述半导体衬底中的沟槽；在所述沟槽中沉积第一介电层，其中，所述第一介电层填充所述沟槽的下部；在含氧工艺气体中在所述第一介电层上实施紫外(UV)处理；在所述沟槽中沉积第二介电层，其中，所述第二介电层填充所述沟槽的上部；在额外的含氧工艺气体中在所述第二介电层上实施热处理；以及在所述热处理之后，在所述第一介电层和所述第二介电层上实施退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
