[发明专利]一种高可靠性和高集成度的eFlash串口测试电路

摘要

本发明涉及一种高可靠性和高集成度的eFlash串口测试电路及其测试方法，该测试电路包括依次连接的测试信号生成电路、信号选择电路以及嵌入式闪存(eFlash)，嵌入式闪存的输出端再与测试信号生成电路连接。测试方法包括如下步骤：a、接收串行输入的测试指令和配置参数，并根据对所述测试指令的解码，选择对eFlash执行的测试操作；b、根据输入的配置参数，对所需执行的测试操作进行相应配置，通过内部的状态机生成相应的测试激励，完成对eFlash的测试操作；c、通过串行输出端口将eFlash的测试结果反馈出来。本发明结构简单，可靠性高，集成度高，能满足半导体集成电路测试技术领域中对eFlash的测试要求。

主权项

1.一种高可靠性和高集成度的eFlash串口测试电路，其特征是，包括依次连接的测试信号生成电路(100)、信号选择电路(110)以及嵌入式闪存(120)，所述嵌入式闪存(120)的输出端再与测试信号生成电路(100)连接；/n所述测试信号生成电路(100)首先接收串行输入的测试指令和配置参数，并根据对所述测试指令的解码，选择对嵌入式闪存(120)执行的测试操作；然后根据输入的配置参数，对所需执行的测试操作进行相应配置，通过内部的状态机生成相应的测试激励，完成对嵌入式闪存(120)的测试操作；最后通过串行输出端口将嵌入式闪存(120)的测试结果反馈出来；/n所述信号选择电路(110)根据嵌入式闪存(120)的测试模式信号选择嵌入式闪存(120)的输入，当处于测试模式时，将测试信号生成电路(100)的输出信号传递给后级的嵌入式闪存(120)；/n所述测试信号生成电路(100)包括依次连接的移位寄存器(101)、指令解码电路(103)、测试功能选择电路(102)以及测试信号发生器电路(104)，串行输入的测试指令和配置参数通过移位寄存器(101)锁存，通过指令解码电路(103)对测试指令的解码，如果执行对嵌入式闪存(120)的直接测试，则直接将配置参数转换成测试信号，由测试信号发生器电路(104)发送到嵌入式闪存(120)端口，实现对嵌入式闪存(120)的测试操作；如果执行固化的测试项，则首先将配置参数写到测试信号发生器电路(104)内部的配置寄存器内，然后测试功能选择电路(102)根据测试指令选择测试项，启动单个状态机或者多个状态机组合，生成相应的测试激励，完成对嵌入式闪存(120)的测试操作；/n所述测试信号发生器电路(104)将测试中的基本项：单次读取和单次编程固化为基本状态机，当执行全写、对角线编程操作时能够调取这些基本状态机；/n接收串行输入的测试指令和配置参数时，输入的测试指令首先存入移位寄存器(101)中，移位的同时，开始计数，当计数值反映测试指令全部存好后，测试信号生成电路(100)就获得了测试指令，同时串口继续输入配置参数；获得的测试指令经过指令解码电路(103)解码，解析出当前测试项；根据测试指令来解析配置参数，并将配置参数分配到不同的配置寄存器中。/n