[发明专利]红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201710512668.8 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN109216485B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 黄勇;熊敏;赵宇;吴启花 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种红外探测器及其制备方法,所述红外探测器包括衬底、第一电极、多个第二电极及从下而上依次设置于衬底上的吸收层、第一势垒层、第二势垒层,第一电极与衬底连接,第二势垒层包括阵列设置的多个半导体层,多个半导体层与多个第二电极一一对应,每个半导体层与一个第二电极连接。所述制备方法包括:提供一衬底;从下而上依次在衬底上生长形成吸收层、第一势垒层、第二势垒层;刻蚀第二势垒层,以形成阵列设置的多个半导体层;分别在衬底上沉积第一电极、在多个半导体层上沉积多个第二电极。所述红外探测器中只对第二势垒层进行刻蚀,在不破坏吸收层的情况下实现器件的电学隔离,简化了器件工艺、提高了器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外探测器,其特征在于,包括衬底、第一电极、多个第二电极及从下而上依次设置于所述衬底上的吸收层、第一势垒层、第二势垒层,所述第一电极与所述衬底连接,所述第二势垒层包括阵列设置的多个半导体层,所述多个半导体层与所述多个第二电极一一对应,每个所述半导体层与一个所述第二电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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