[发明专利]红外探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710512668.8 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN109216485B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 黄勇;熊敏;赵宇;吴启花 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/109;H01L31/18
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种红外探测器及其制备方法,所述红外探测器包括衬底、第一电极、多个第二电极及从下而上依次设置于衬底上的吸收层、第一势垒层、第二势垒层,第一电极与衬底连接,第二势垒层包括阵列设置的多个半导体层,多个半导体层与多个第二电极一一对应,每个半导体层与一个第二电极连接。所述制备方法包括:提供一衬底;从下而上依次在衬底上生长形成吸收层、第一势垒层、第二势垒层;刻蚀第二势垒层,以形成阵列设置的多个半导体层;分别在衬底上沉积第一电极、在多个半导体层上沉积多个第二电极。所述红外探测器中只对第二势垒层进行刻蚀,在不破坏吸收层的情况下实现器件的电学隔离,简化了器件工艺、提高了器件的可靠性。
搜索关键词: 红外探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种红外探测器,其特征在于,包括衬底、第一电极、多个第二电极及从下而上依次设置于所述衬底上的吸收层、第一势垒层、第二势垒层,所述第一电极与所述衬底连接,所述第二势垒层包括阵列设置的多个半导体层,所述多个半导体层与所述多个第二电极一一对应,每个所述半导体层与一个所述第二电极连接。
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