[发明专利]纳米电极对中电极间距的精密调控方法在审
| 申请号： | 201710511113.1 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107300575A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 师佳;卓依婧;洪文晶;李瑞豪;杨扬 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 纳米电极对中电极间距的精密调控方法，涉及纳米电极。利用非稳定连接的MCBJ技术确定待测单原子/分子电导；采用PID控制方案对纳米电极对间距实施稳定调控，实现电极对间单个金属原子点接触/分子结的稳定连接。在室温下，可以实现电极对间距精密调控的目的。该调控方案方便简单，易于理解，成本低，控制效果可重现性高。并且，在普通实验室的条件下就可以实施应用，普适性高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电极 间距 精密 调控 方法 | ||
【主权项】：
纳米电极对中电极间距的精密调控方法，其特征在于包括以下步骤：1)利用非稳定连接的MCBJ技术确定待测单原子/分子电导；2)采用PID控制方案对纳米电极对间距实施稳定调控，实现电极对间单个金属原子点接触/分子结的稳定连接。
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