[发明专利]一种冬早马铃薯半沟种植方法有效

专利信息
申请号: 201710507914.0 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN107114109B 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 任习荣;胡德波;张定红;许玉平;王燕;李重红;王芳;刘仁平;许冰鑫;曾顺碧 申请(专利权)人: 昭通市土壤肥料工作站
主分类号: A01G22/25 分类号: A01G22/25;A01C21/00
代理公司: 53106 昆明大百科专利事务所 代理人: 何健;杨建
地址: 657000 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 一种冬早马铃薯半沟种植方法,种植区域选择冬季最冷月土壤10厘米深处的温度在5‑20℃的地区,选择pH值5.5‑6.5的沙壤土或轻壤土;马铃薯采用单行开沟种植,开沟后整个沟深25‑35厘米,相邻两沟的中心距离为65‑75厘米;开沟后摆种,然后按1000‑1500公斤/亩施农家肥,再按40公斤/亩施马铃薯专用肥,最后盖土6‑8厘米,此时沟深还剩8‑12厘米,待马铃薯出苗至苗高15‑20厘米时进行追肥,灌一次水,再按商品有机肥50公斤/亩和马铃薯专用肥60公斤/亩的量混合后施在马铃薯苗主茎周围,肥料离茎2.5‑3.5厘米,然后盖土培土10‑15厘米。本发明节肥、肥料利用率高、集中节约灌水、保肥保水能力强,可提高马铃薯产量和质量。
搜索关键词: 一种 马铃薯 种植 方法
【主权项】:
1.一种冬早马铃薯半沟种植方法,其特征在于,种植区域选择冬季最冷月土壤10厘米深处的温度在5-20℃的地区,种植地块选择微酸性的沙壤土或轻壤土,土壤pH值5.5-6.5;马铃薯采用单行开沟种植,开沟的深度加上开沟堆积在沟两侧的土堆高,整个沟深25-35厘米,相邻两沟的中心距离为65-75厘米;开沟后摆种,然后按1000-1500公斤/亩施农家肥,再按40公斤/亩施马铃薯专用肥,最后盖土6-8厘米,此时沟深还剩8-12厘米,待马铃薯出苗至苗高15-20厘米时进行追肥,灌一次水,再按商品有机肥50公斤/亩和马铃薯专用肥60公斤/亩的量将商品有机肥和马铃薯专用肥混合后施在马铃薯苗主茎周围,肥料离茎2.5-3.5厘米,然后盖土培土,培土高度10-15厘米即可。/n
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