[发明专利]一种超微型半导体致冷器件的制作工艺有效
| 申请号： | 201710505937.8 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107359233B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 赵丽妍 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛富连京电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 11399 北京冠和权律师事务所 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 066000 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超微型半导体致冷器件的制作工艺，包括以下步骤：步骤S1、将喷有金属镀层的晶片粘接在蓝膜上，再对晶片划切成晶粒，以及使用扩膜机对蓝膜及其上粘接着的晶粒扩展，并将扩展后蓝膜背向晶粒一侧面置于模具上；步骤S2、利用排片机上的吸头将步骤S1得到模具上晶粒吸起，并放置到瓷片指定位置；步骤S3、将步骤S2得到的瓷片放置在返修台的加热台上，将另一个瓷片与步骤S2得到的瓷片对齐并贴附压紧，再启动加热台进行加温焊接，焊接完成后冷却。其中，由于晶粒摆放采用排片机自动吸、放，晶粒位置更加准确，而且上下瓷片对位采用返修台的光学对位系统，实现上下瓷片对位的目的，效率更高，操作更加准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 半导体 致冷 器件 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种超微型半导体致冷器件的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1、先将贯穿分布有定位窗口的透明柔性膜粘贴在蓝膜上，然后将喷有金属镀层的晶片粘接在蓝膜上，再根据定位窗口的位置对晶片划切成晶粒，使得晶粒位于定位窗口内，以及使用扩膜机对蓝膜及其上粘接着的晶粒扩展，并将扩展后蓝膜背向晶粒一侧面置于模具上；/n在晶片上喷金属镀层的步骤包括：镍丝经过加温后均匀喷于晶片表面上，喷好镍后再镀一层锡；/n步骤S2、将步骤S1得到的模具安装到排片机的材料架上，将印刷完焊膏的瓷片放置在排片机的工作台上，在瓷片的焊膏上形成分布设置的定位槽口，利用排片机上的吸头将步骤S1得到模具上晶粒吸起，并放置到瓷片定位槽口中；/n步骤S3、将步骤S2得到的瓷片放置在返修台的加热台上，先在另一个瓷片面向步骤S2得到的瓷片一侧面的四周边缘上形成导热涂层，再将另一个瓷片吸附在返修台上方的吸口上，将另一个瓷片与步骤S2得到的瓷片对齐并贴附压紧，再启动加热台进行加温焊接，焊接温度为220～290℃，时间为1-2min，焊接完成后冷却。/n
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