[发明专利]一种氮掺杂的有序多孔碳包覆硅纳米复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710505128.7 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107317011A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张朝峰;邱立峰;许润涛;饶娟;李春晓 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂的有序多孔碳包覆硅纳米复合材料的制备方法，其是首先采用盐酸多巴胺包覆硅纳米颗粒，然后再用乙酸钴催化处理，最后经高温煅烧，即获得目标产物。本发明的复合材料制备方法简单，所得产物的循环稳定性和循环比容量好，可作为一种优异的锂离子电池负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 有序 多孔 碳包覆硅 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮掺杂的有序多孔碳包覆硅纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将硅纳米颗粒加入水中并超声分散均匀，调节pH至8.25～8.75，然后加入盐酸多巴胺，室温下搅拌反应10～14h，离心分离，获得Si@PDA复合结构；(2)将所述Si@PDA复合结构加入到温度为50℃、浓度为350～380g/L的催化剂乙酸钴的水溶液中，浸泡48h，然后取出并干燥；(3)将步骤(2)所得干燥后产物在氩气氛围下700℃煅烧4h，所得产物再在稀硝酸中100℃回流4h以去除钴的化合物，然后离心、干燥，即获得目标产物氮掺杂的有序多孔碳包覆硅纳米复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学，未经合肥工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710505128.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
