[发明专利]使用材料转移方法的未释放的红外传感器有效
| 申请号： | 201710501183.9 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107543619B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 皮奥特·克劳派尼克;劳顿·M·马里纳斯屈;格里戈雷·D·胡米尼克;赫尔曼·卡拉格兹奥格鲁;庄凯亮 | 申请（专利权）人： | 埃塞力达技术新加坡有限私人贸易公司 |
| 主分类号： | G01J5/14 | 分类号： | G01J5/14;G01J5/12;G01J5/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王子晔;张颖玲 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种未释放的热电堆IR传感器和制造方法，其包括新隔热材料和基于超薄材料的传感器，它们组合提供了优异的灵敏度而不需要释放的膜结构。使用晶片转移技术制造传感器，其中，包括基板和新隔热材料的基板组件被粘合到包括载体基板和超薄材料的载体基板组件，然后移除载体基板。照此，克服了多种材料的温度限制。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 材料 转移 方法 释放 红外传感器 | ||
【主权项】：
一种未释放的热电堆红外传感器，包括：基板，具有底表面和顶表面；隔热材料，设置在所述基板的顶表面的至少一部分上，所述隔热材料具有底表面和顶表面；和超薄材料，设置在所述隔热材料的顶表面的至少一部分上；其中，所述隔热材料在高至450℃的温度下稳定，其中，所述超薄材料选自厚度小于或等于200nm的材料，并且通过需要高于450℃的升高温度的方法进行沉积。
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