[发明专利]THz天线及其制作方法在审
| 申请号： | 201710499946.0 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109149322A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 梁松;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02;H01S5/34;H01Q1/36;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种THz天线制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、波导层及间隔层；选择性去除衬底上增益区的间隔层后生长量子阱材料层；选择性去除衬底上增益区外的量子阱材料层；选择性去除衬底上混频器区的间隔层材料后生长混频器材料层；选择性去除衬底上混频器区外的混频器材料层，并选择性去除衬底上相位区内的间隔层后生长接触层，制备THz天线材料；利用所制备的THz天线材料制作所述THz天线。本发明还提供了一种THz天线。本发明THz天线及其制作方法，将多种功能光电子器件制作于同一衬底之上，有效提高了整个系统性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 选择性去除 天线 间隔层 制作 生长 量子阱材料 上混频器 天线材料 材料层 混频器 增益区 制备 光电子器件 间隔层材料 系统性能 波导层 缓冲层 接触层 | ||
【主权项】：
1.一种THz天线制作方法，包括：在一衬底上依次生长缓冲层、波导层及间隔层；选择性去除衬底上增益区的间隔层后生长量子阱材料层；选择性去除衬底上增益区外的波导区、相位区及混频器区的量子阱材料层；选择性去除衬底上混频器区的间隔层材料后生长混频器材料层；选择性去除衬底上混频器区外的增益区、波导区及相位区的混频器材料层，并选择性去除衬底上相位区内的间隔层后生长接触层，完成THz天线材料制备；利用所制备的THz天线材料，分别在波导区形成无源波导，在增益区形成泵浦激光器或结合增益区和相位区材料形成泵浦激光器，在增益区形成光放大器，在相位区形成相位调制器，在混频器区形成混频器、天线后完成所述THz天线制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710499946.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种线束插接器的安装工具及方法
- 下一篇：一种用于无源光网络的激光器
