[发明专利]一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置有效
| 申请号： | 201710499560.X | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109137063B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 郭小伟;王大帅;杨承;李绍荣;邹渝 | 申请（专利权）人： | 南京新创力光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B28/04;C30B29/06;C30B30/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 滕诣迪 |
| 地址： | 210038 江苏省南京市南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置，包括：提供衬底，在所述衬底上设置非晶硅薄膜，在所述非晶硅薄膜上设置单晶硅薄膜，利用激光束透过所述衬底对所述非晶硅薄膜进行扫描，所述激光束到达所述非晶硅薄膜时，所述非晶硅薄膜上与所述单晶硅薄膜相接触的部位最先被所述激光束扫描到，以所述单晶硅薄膜作为籽晶层，所述非晶硅薄膜在所述激光束的作用下熔融再结晶，形成多晶硅薄膜；本发明制备出的多晶硅的质量趋近于单晶硅，适用于半导体材料制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 多晶 薄膜 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高质量多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于：包括：S101、提供衬底(101)；S102、在所述衬底(101)上设置非晶硅薄膜(102)；S103、在所述非晶硅薄膜(102)上设置单晶硅薄膜(103)；S104、利用激光束(106)透过所述衬底(101)对所述非晶硅薄膜(102)进行扫描，所述激光束(106)到达所述非晶硅薄膜(102)时，所述非晶硅薄膜(102)上与所述单晶硅薄膜(103)相接触的部位最先被所述激光束106扫描到；S105、以所述单晶硅薄膜(103)作为籽晶层，所述非晶硅薄膜(102)在所述激光束(106)的作用下熔融再结晶，形成多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
