[发明专利]基于铌酸锂晶体温控的激光偏转调制方法有效
| 申请号： | 201710486438.9 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107092104B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 宫德维;王爽;周忠祥 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 高倩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙;23 |
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| 摘要： | 本发明提供一种体积小、加工简单、且可根据实际需要控制偏转光束的光强分布的基于铌酸锂晶体温控的激光偏转调制方法，属于偏转器件的设计与制备研究领域。本发明基于铌酸锂晶体实现，铌酸锂晶体为长方体块体，建立xyz直角坐标系，其中y轴为晶体长度方向，x轴为晶体光轴方向；在铌酸锂晶体的一个晶面上设置金属纳米薄膜，在金属纳米薄膜z轴方向的两端设置两个金属电极；激光通过1号半波片和傅里叶透镜入射至铌酸锂晶体，在偏转元件的两个金属电极上施加直流电压，使铌酸锂晶体产生的温度梯度场；逐渐增加施加的直流电压，使激光光束在温度梯度场方向发生横向偏转，直至获得需要调制的偏转角。本发明还能利用两个铌酸锂晶体实现一维和二维偏转。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 晶体 温控 激光 偏转 调制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于铌酸锂晶体温控的激光偏转调制方法，其特征在于，所述方法基于偏转光路实现，偏转光路包括1号半波片、傅里叶透镜和偏转元件，偏转元件包括铌酸锂晶体、金属纳米薄膜和两个金属电极；/n铌酸锂晶体为长方体块体，建立xyz直角坐标系，其中y轴为铌酸锂晶体的长度方向，x轴为铌酸锂晶体的光轴方向，z轴为通光方向；/n金属纳米薄膜设置在铌酸锂晶体的一个晶面上，该晶面位于yoz平面，两个金属电极分别在金属纳米薄膜z轴方向的两端；/n通过离子溅射或真空蒸镀的方式在铌酸锂晶体的晶面上形成金属纳米薄膜；/n激光光束依次通过1号半波片和傅里叶透镜后，沿z轴方向入射至1号铌酸锂晶体；/n所述激光偏转调制方法包括如下步骤：/n步骤一：激光光束入射至偏转光路；/n步骤二：在偏转元件的两个金属电极上施加直流电压，使铌酸锂晶体产生的温度梯度场；/n步骤三：逐渐增加施加的直流电压，使激光光束在温度梯度场方向发生横向偏转，直至获得需要调制的偏转角，维持直流电压大小不变。/n
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