[发明专利]新型薄膜太阳电池有效
申请号: | 201710482861.1 | 申请日: | 2017-06-22 |
公开(公告)号: | CN107146819B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 谢自力;陈敦军;张开骁 | 申请(专利权)人: | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0445;H01L31/0224 |
代理公司: | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人: | 张佳妮 |
地址: | 210043 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型薄膜太阳电池,包括表面防反层、表面反射层、PN结结构层、第一电极、第二电极、底面选择反射层,其中,PN结结构层形成周期性的金字塔结构,表面防反层为表面涂层,均匀覆盖在PN结结构层的上表面,表面反射层设置于表面防反层的凹陷处,第一电极、第二电极交替竖直植入到PN结结构层的内部,第一电极与第二电极的下端从底面选择反射层7底面突出。本发明装置中,表面入射的太阳光大部分被直接吸收,另一部分经表面反射层反射后被金字塔顶部吸收,底面选择反射层可以反射材料层能够吸收的短波长太阳光,既可以降低整个电池结构的温度,还可以作为汽车房屋等户外物体窗户或外墙上的贴膜使用,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 新型 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种新型薄膜太阳电池,包括表面防反层、表面反射层、PN结结构层、第一电极、第二电极、底面选择反射层,其中,PN结结构层形成周期性的金字塔结构,表面防反层为表面涂层,均匀覆盖在PN结结构层的上表面,表面反射层设置于表面防反层的凹陷处,第一电极、第二电极交替竖直植入到PN结结构层的内部,其中第一电极的植入深度大于第二电极,第一电极的顶端靠近金字塔的顶端,第二电极的顶端靠近表面反射层的底部,第一电极与第二电极的下端从底面选择反射层的底面突出,第一电极、第二电极的下端通过叉指电极的方式引出得到阴极电极和阳极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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