[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710479451.1 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107689397B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;郑凯予;林志翰;杨心怡;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，形成至源极/漏极区的第一接触件，并且在第一接触件上方形成介电层。形成开口以暴露第一接触件，并且用介电材料衬垫开口。第二接触件形成为通过介电材料与第一接触件电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成至源极/漏极区的第一接触件，所述源极/漏极区邻近第一间隔件的至少一部分并且与所述第一间隔件的所述至少一部分齐平，所述第一间隔件邻近栅电极；在所述栅电极上方形成介电层；图案化所述介电层以形成穿过所述介电层的第一开口，所述第一开口暴露所述第一接触件；用介电材料衬垫所述第一开口的侧壁；以及用导电材料填充所述第一开口的剩余部分以形成第二接触件，所述第二接触件延伸穿过所述介电材料以与所述第一接触件接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710479451.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶体管及其形成方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
