[发明专利]用于双极晶体管的集成电路结构的制造有效

专利信息
申请号: 201710474531.8 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN107527866B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 夫厚尔·杰恩;刘岂之 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: H01L21/8222 分类号: H01L21/8222;H01L27/082
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于双极晶体管的集成电路结构的制造,依据本发明的方法可包括:提供衬底,该衬底包括:第一半导体区域、第二半导体区域,以及横向位于该第一半导体区域与第二半导体区域之间的沟槽隔离(TI);在该衬底的该沟槽隔离及该第二半导体区域上形成晶种层,使该衬底的该第一半导体区域暴露;在该衬底及该晶种层上形成外延层,其中,该外延层包括:位于该衬底的该第一半导体区域上方的第一半导体基极材料,以及位于该晶种层上方的外部基极区;在该外部基极材料及该晶种层内形成开口以暴露该第二半导体区域的上表面;以及在该开口中形成第二半导体基极材料。
搜索关键词: 用于 双极晶体管 集成电路 结构 制造
【主权项】:
一种形成集成电路(IC)结构的方法,该方法包括:提供衬底,其包括:第一半导体区域、第二半导体区域,以及横向位于该第一半导体区域与第二半导体区域之间的沟槽隔离(TI);在该衬底的该沟槽隔离及该第二半导体区域上形成晶种层,使该衬底的该第一半导体区域暴露;在该衬底的该第一半导体区域及该晶种层上形成外延层,其中,该外延层包括:位于该衬底的该第一半导体区域上方的第一半导体基极材料,以及位于该晶种层上方的外部基极材料;在该外部基极材料及该晶种层内形成开口以暴露该第二半导体区域的上表面;以及在该开口中形成第二半导体基极材料。
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