[发明专利]通过后栅极切割工序提高设备性能的设备及方法在审
| 申请号： | 201710469831.7 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107527867A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 吴旭升;黄海苟 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过后栅极切割工序提高设备性能的设备及方法，其提供通过后栅极切割工艺以提高性能的集成电路设备的制造方法及其设备。一种方法包括，例如获取一中间半导体设备，其具有包括多个鳍片的一基板，一STI层，一氧化层，以及该氧化层上方的一栅极材料，该鳍片延伸至该栅极材料中；移除该栅极材料以及该氧化层；沉积一高K材料于该STI层的一顶表面上并围绕该鳍片；沉积一栅极堆栈于该高K材料的上方；用一栅极接触金属填充该设备的该顶部；蚀刻该栅极接触金属，该金属栅极堆栈，以及该高K材料的一部分；以及用一层间介电质填充该部分。本发明还公开了由该方法形成的一中间设备。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 栅极 切割 工序 提高 设备 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：获得一中间半导体设备，其具有包括多个鳍片的一基板，一STI层，一氧化层，以及位于该氧化层上方的一栅极材料，该鳍片延伸至该栅极材料中；移除该栅极材料以及该氧化层；沉积一高K材料于该STI层的一顶表面上，并围绕该鳍片；沉积一栅极堆栈于该高K材料的上方；用一栅极接触金属填充该设备的该顶部；蚀刻该栅极接触金属、该金属栅极堆栈，以及该高K材料的一部分；以及用一层间介电质填充该部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
