[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。

主权项

一种半导体器件，包括：包括第一区和第二区的衬底；在远离所述衬底的第一方向上延伸的鳍型有源区域，所述鳍型有源区域被包括在所述第一区和所述第二区的每个中；平行于所述鳍型有源区域的上表面延伸并与所述鳍型有源区域的所述上表面间隔开的多个纳米片，所述纳米片的每个具有沟道区；在交叉所述第一方向的第二方向上在所述鳍型有源区域之上延伸的栅极，其中所述栅极围绕所述纳米片的每个的至少一部分；插置在所述纳米片与所述栅极之间的栅极电介质层；在所述第一区中包括的第一源极和漏极区以及在所述第二区中包括的第二源极和漏极区，所述第一源极和漏极区和所述第二源极和漏极区连接到所述纳米片并分别包括彼此不同的材料；以及插置在所述鳍型有源区域与所述纳米片之间的绝缘间隔物，其中空气间隔物在所述第一区中被插置在所述绝缘间隔物与所述第一源极和漏极区之间。