[发明专利]注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710466252.7 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107507862B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;姜珊;宋庆文;张艺蒙;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种注入增强型SiC PNM‑IGBT器件及其制备方法。该制备方法包括：利用热壁LPCVD工艺在SiC衬底连续生长过渡层、第一漂移层、缓冲层、集电层；利用CMP工艺，去除SiC衬底和过渡层，刻蚀第一漂移层，形成第一沟槽，利用热氧化工艺在第一沟槽淀积氧化层；利用热壁LPCVD工艺在第一漂移层和第一沟槽表面生长第二漂移层；利用离子注入工艺，在第二漂移层形成P型阱区，在P型阱区形成P+接触区和N+发射区；刻蚀第二漂移层，形成第二沟槽，利用热氧化工艺在第二沟槽淀积多晶硅；淀积金属层形成发射极和集电极。本发明在槽栅两侧引入埋氧化层，增强了电导调制效应，降低了导通电阻，并不会导致关断时间明显增大，且在工艺上与现有工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 增强 sic pnm igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种注入增强型SiC PNM‑IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：选取N型SiC衬底；利用热壁LPCVD工艺在所述SiC衬底连续生长过渡层、第一漂移层、缓冲层、集电层；利用CMP工艺，去除所述SiC衬底和所述过渡层；利用反应离子刻蚀工艺刻蚀所述第一漂移层，形成第一沟槽，利用热氧化工艺在所述第一沟槽生长第一氧化层；利用热壁LPCVD工艺在所述第一漂移层和所述第一氧化层表面生长第二漂移层；利用热壁LPCVD工艺在所述第二漂移层生长P型阱区，在所述P型阱区形成P+接触区和N+发射区；利用反应离子刻蚀工艺刻蚀所述第二漂移层和所述第一氧化层，形成第二沟槽以制备出埋氧化层；利用热氧化工艺在所述第二沟槽生长第二氧化层，利用CVD工艺在所述第二氧化层生长多晶硅；淀积金属层形成发射极和集电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710466252.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
