[发明专利]利用ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备三聚氰胺分子印迹荧光传感器MEL-MIP的方法

摘要

本发明属于功能材料制备技术领域，以SiO2@ZnO QDs为荧光基质材料，利用自由基聚合方法合成多孔硅表面分子印迹荧光传感器。本发明利用凝胶溶胶法将ZnO QDs封装到多孔SiO2中，不仅解决量子点稳定性问题，提高量子点使用寿命；还通过加入致孔剂制备多孔SiO2，解决量子点包埋过深，增加比表面积，拓宽其使用范围。与表面分子印迹技术结合，提高荧光传感器对待检测物质的识别能力和响应速度，为快速、选择性识别检测乳制品中痕量三聚氰胺奠定坚实的理论和实践基础。

主权项

一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法，其特征在于，按以下步骤进行：(1)称取二水合乙酸锌ZnAc2·2H2O加入单口烧瓶中，加入乙醇进行超声，将分散好的混合液转移到油浴锅中，回流得到无色透明溶液；其中，为防止水汽的进入，回流管顶端应该加氯化钙干燥管；(2)移取步骤(1)制得的乙酸锌溶液，加入氢氧化锂，冰水浴下超声震荡搅拌，制得无色透明ZnO量子点溶胶；加入γ‑巯丙基三甲氧基硅烷KH‑590乙醇溶液搅拌修饰，用正己烷反溶剂进行洗涤，然后再加入乙醇溶解，以上操作重复几次，最后得到的ZnO QDs冷冻干燥，研磨成粉备用；(3)将P123溶解于乙醇中，加入SiO2水溶胶，混合搅拌，再称取制备的量子点，溶解到上述混合液中搅拌，搅拌后，加入HCl进行催化TEOS水解，暗反应过夜，用乙醇洗去表面活性剂，用离心机进行离心分离，真空干燥后研磨，最后N2气流中灼烧，去除致孔剂P123形成多孔SiO2@ZnO QDs荧光材料。