[发明专利]用于半导体样品工作流的方法和装置有效
| 申请号： | 201710463493.6 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107527849B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | K·巴拉绍夫;T·米勒 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李晓芳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于半导体样品工作流的方法和装置。描述了用于使用现有的自动化基础设施(诸如前开口一体盒(FOUP))在半导体制造设施中自动传送和存储透射电子显微镜(TEM)和扫描/透射电子显微镜(STEM)薄片样品的装置和方法。还提供了对应于半导体晶片、数据存储晶片或太阳能电池晶片的外部尺寸的晶片复制品，其中该复制品适于存储、携带和/或提供用于测试从半导体晶片、数据存储晶片或太阳能电池晶片取得的样品的测试平台。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 样品 工作流 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于在存储和传输从半导体晶片或数据存储晶片取得的测试样品中使用的晶片或盘复制品，包括：主体，所述主体的尺寸被设计为至少对应于从其取得测试样品的所述半导体晶片或数据存储晶片的直径；以及多个凹部，所述多个凹部在所述主体的表面中形成并且被配置为接收从所述半导体晶片或数据存储晶片取得的所述测试样品中的一个或多个测试样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
