[发明专利]高透过率的多孔WO3电致变色薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710456703.9 申请日: 2017-06-16
公开(公告)号: CN107299374A 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 张敏;殷雪;李美仪;李小晶;王玉新 申请(专利权)人: 辽宁师范大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C23C14/35;C23C14/14
代理公司: 大连非凡专利事务所21220 代理人: 王廉
地址: 116029 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种高透过率的多孔WO3电致变色薄膜的制备方法,按照以下步骤进行将清洗好的衬底基片放入磁控溅射系统的真空室样品台上,采用纯度为99.99%的钨靶作为溅射靶材,将本底真空抽至10‑3Pa以下,基片温度设定在室温至300℃;向真空室通入惰性气体,调整工作气压,开启钨靶并设定其溅射功率,开始在基片上沉积金属W薄膜,通过控制溅射时间来控制薄膜厚度;溅射结束后在基片上得到黑褐色的金属W薄膜;在含有F‑的电解质溶液中,对所制备的金属W薄膜进行阳极氧化处理,阳极是镀有W薄膜的基片,阴极为不锈钢片,在两极之间施加阳极氧化电压;对阳极氧化后的样品进行空气退火处理,处理时间2小时,炉冷至室温,即得到多孔WO3薄膜。
搜索关键词: 透过 多孔 wo3 变色 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种高透过率的多孔WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于:所述的方法按照以下步骤进行:a、将清洗好的衬底基片放入磁控溅射系统的真空室样品台上,采用纯度为99.99%的钨靶作为溅射靶材,将本底真空抽至10‑3Pa以下,基片温度设定在室温至300℃,b、向真空室通入惰性气体,调整工作气压,开启钨靶并设定其溅射功率,开始在基片上沉积金属W薄膜,通过控制溅射时间来控制薄膜厚度,c、溅射结束后在基片上得到黑褐色的金属W薄膜,d、在含有F‑的电解质溶液中,对所制备的金属W薄膜进行阳极氧化处理,阳极是镀有W薄膜的基片,阴极为不锈钢片,在两极之间施加阳极氧化电压,e、对阳极氧化后的样品进行空气退火处理,处理时间2小时,炉冷至室温,即得到多孔WO3薄膜。
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