[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710455899.X | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107527912B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李东镇;金商宽;李知恩;赵诚学;金锡享;申素娟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底中的源极/漏极区。此外，半导体器件包括在衬底中的凹陷中的栅结构。该栅结构包括衬层，其包括第一部分和在第一部分之上的第二部分。第二部分比第一部分更靠近源极/漏极区。第二部分包括金属合金。形成半导体器件的方法也被提供。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中的源极/漏极区；以及在所述半导体衬底中的凹陷中的栅结构，所述栅结构包括衬层，所述衬层包括：第一部分；以及在所述第一部分上的第二部分，其中所述第二部分相比所述第一部分更靠近所述源极/漏极区并且包括金属合金。
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