[发明专利]在相同芯片上的电性与光学通孔连接有效
| 申请号： | 201710450341.2 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107522162B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | J·李;诚康国;裴成文;G·王;J·欧文 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及在相同芯片上的电性与光学通孔连接，其涉及半导体结构，尤其涉及在相同芯片上的电性与光学通孔连接及其制造方法。此结构包括光学衬底通孔，是包括光学材料填充该衬底通孔。该结构更包括电性衬底通孔，是包括具有光学材料的衬垫层及填充该电性衬底通孔的其余部分的导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 相同 芯片 光学 连接 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：光学衬底通孔(TSV)，形成于衬底中并包括填充该衬底通孔的光学材料，其中，该光学衬底通孔为形成在由该衬底的一部分组成的核心部分周围的环形通孔，其中，该环形通孔于该环形通孔邻近于该核心部分的内壁与该环形通孔隔绝该核心部分的外壁之间具有d1的通孔宽度，且其中，该核心部分具有d2的圆周尺寸；以及电性衬底通孔，形成于该衬底中并包括该光学材料的衬垫层及填充该电性衬底通孔的其余部分的电性导电材料，其中，该电性衬底通孔具有D1的直径，且D1>d1。
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