[发明专利]一种PDMS自吸进样的微流控SERS芯片及其制备方法有效
申请号: | 201710449662.0 | 申请日: | 2017-06-12 |
公开(公告)号: | CN107262168B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 徐溢;郑祥权;陈李;李刚 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00;G01N21/65;G01N27/416 |
代理公司: | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人: | 康海燕 |
地址: | 400030 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于表面增强拉曼光谱分析和微流控芯片分析技术领域,具体涉及一种PDMS自吸进样的微流控SERS芯片及其制备方法,所述方法不仅能够解决SERS基底与微通道贴合不牢导致漏液的技术问题,且PDMS自吸进样方式能够克服微结构中注射、负压泵吸等方式进样存在的空间狭小、操作不便、样本易漏液等技术缺陷,此外,制作简单方便,成本低廉,尺寸较小,便于携带。 | ||
搜索关键词: | 一种 pdms 吸进 微流控 sers 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种 PDMS 自吸进样的微流控 SERS 芯片,其特征在于:所述芯片由下至上包括依次叠加在一起的 ITO 基片(1)、双面胶中间层(2)、PDMS 盖片(3)和 PDMS 弹性体(4);所述的 ITO 基片(1)是以铂电极为对电极,饱和甘汞电极为辅助电极, ITO 基片为工作电极,‑0.1~‑2.0V 下电沉积 5~300s 在 ITO 基片上成金属核;然后在‑0.1~‑1.5V 下电沉积 2000~4000s 制得纳米金属@ITO 基底;最后将制得的纳米金属@ITO 基底在含有另一种不同的金属离子溶液中浸泡,集成SERS 增强基底(11),所述的金属选自纳米银、金、钯或锆;所述的双面胶中间层(2)的上面通过光刻技术刻有至少一条微通道(21),所述微通道宽度为 0.1~1 mm,长度为5~10mm,深度为 0.1~1.5mm,微通道距离左右边缘至少 0.2mm,距离上下边缘至少 0.2 mm;所述的 PDMS 盖片(3)的上部设有与微通道对应的进样孔(31),直径为 0.5~1.5mm,且小于一条微通道的宽与两条微通道间隔之和;所述 PDMS 弹性体(4)的长度覆盖所有微通道,宽度不大于进样孔至盖片底边的距离,厚度为 10~30mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710449662.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。