[发明专利]一种在等离子体强磁场位置注入中性束的磁镜装置在审
| 申请号： | 201710448870.9 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107278010A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 陈德鸿;曾秋孙;王明煌;蒋洁琼;吴宜灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H05H1/14 | 分类号： | H05H1/14;G21B1/05;G21B1/15 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人： | 杨学明,顾炜 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在等离子体强磁场位置注入中性束的磁镜装置，利用在磁镜装置约束等离子体的强磁场位置斜注入高能中性束粒子，一方面可以提高中性束产生的快离子在磁镜中折返点位置的磁场强度和密度，提高快离子聚变反应的功率密度；另一方面可以通过降低磁镜中平面磁场的方式来提高磁镜比，提高电子温度和快离子的约束时间，而不影响快离子在折返点位置的磁场强度和密度，最终提高磁镜装置的聚变能量增益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 磁场 位置 注入 中性 磁镜 装置 | ||
【主权项】：
一种在等离子体强磁场位置注入中性束的磁镜装置，主要由中性束注入系统(1)、磁体系统(2)、真空室(3)、等离子体枪(4)和其他辅助的设备；其特征在于：所述的中性束注入系统(1)的中性粒子斜注入磁镜装置约束等离子体的强磁场位置，可以是磁镜最小磁场即中平面处到最大磁场即磁喉处之间等离子体的任何位置；所述的中性束注入系统(1)的注入角可以是锐角或者钝角，注入角为中性粒子注入的方向和等离子体轴的夹角；所述的中性束注入系统(1)可以由多个中性束分别在磁镜装置约束等离子体不同的强磁场位置注入。
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