[发明专利]环境传感器的制造方法及使用该方法制造的环境传感器在审

专利信息
申请号: 201710434366.3 申请日: 2017-06-09
公开(公告)号: CN107356637A 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 赖建文 申请(专利权)人: 上海申矽凌微电子科技有限公司
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;G01N27/22;G01N27/04;G01K7/01
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司31236 代理人: 郭国中
地址: 201108 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种环境传感器的制造方法及使用该方法制造的环境传感器,包括如下步骤步骤1,在硅片衬底上制备检测器件;步骤2,在检测器件上制备温敏器件、气敏器件和湿敏器件并形成温度传感区、气敏传感区和湿敏传感区;步骤3,封装。与现有技术相比,本发明的有益效果如下使用传统的半导体工艺技术把纳米量级的薄膜金属氧化物气敏电阻和高分子材料的湿敏电容,以及对温度极为敏感的二极管做在同一硅片上,同时制作出气体和温度湿度传感器。因此,气体的数据可以通过温度湿度数据修正,提高气体测量精度。同时可以减少产品的成本,体积和功耗。
搜索关键词: 环境 传感器 制造 方法 使用
【主权项】:
一种环境传感器的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,在硅片衬底上制备检测器件;步骤2,在检测器件上制备温敏器件、气敏器件和湿敏器件并形成温度传感区、气敏传感区和湿敏传感区;步骤3,封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海申矽凌微电子科技有限公司,未经上海申矽凌微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710434366.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top