[发明专利]外延层转移单晶硅用籽晶阵列衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201710432785.3 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN109037026A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘东方;张伟;李纪周;鄢靖源;王聪;陈小源 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延层转移单晶硅用籽晶阵列衬底及其制备方法，其中，制备方法至少包括如下步骤：提供一母衬底；于所述母衬底上形成具有预设籽晶阵列图形的抗热氧化掩膜；基于所述抗热氧化掩膜，于所述母衬底表面形成阵列排布的若干个凸起结构；通过热氧化方法并基于所述抗热氧化掩膜，于所述母衬底表面及所述凸起结构侧壁表面形成用于实现单晶硅选择性外延生长的外延阻挡层；去除所述抗热氧化掩膜，于每个凸起结构的顶部对应形成外突型籽晶，从而形成由若干个外突型籽晶构成的籽晶阵列。本发明采用抗热氧化掩膜法，加工步骤少、工艺简单，所获得的籽晶阵列衬底具有高度力学稳定性，且抗工艺操作性优异，极具工业实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 衬底 掩膜 单晶硅 凸起结构 制备 母衬底表面 外延层 外突 选择性外延生长 工业实用性 工艺操作性 力学稳定性 侧壁表面 加工步骤 阵列排布 阵列图形 热氧化 掩膜法 阻挡层 去除 预设 | ||
【主权项】：
1.一种外延层转移单晶硅用籽晶阵列衬底的制备方法，其特征在于，所述外延层转移单晶硅用籽晶阵列衬底的制备方法至少包括如下步骤：提供一母衬底；于所述母衬底上形成具有预设籽晶阵列图形的抗热氧化掩膜；基于所述抗热氧化掩膜，于所述母衬底表面形成阵列排布的若干个凸起结构；通过热氧化方法并基于所述抗热氧化掩膜，于所述母衬底表面及所述凸起结构侧壁表面形成用于实现单晶硅选择性外延生长的外延阻挡层；去除所述抗热氧化掩膜，于每个凸起结构的顶部对应形成外突型籽晶，从而形成由若干个外突型籽晶构成的籽晶阵列，最终得到所述外延层转移单晶硅用籽晶阵列衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
