[发明专利]抗雷击晶片型保护元件及制作方法有效
| 申请号： | 201710431427.0 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107123580B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 南式荣;艾莹露;王中甲 | 申请（专利权）人： | 南京萨特科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/041 | 分类号： | H01H85/041;H01H85/18;H01H85/12;H01H69/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 210049*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗雷击晶片型保护元件，包括上盖板、下盖板、夹于上盖板和下盖板之间的承载板、两根熔丝；所述承载板中间设有横向延伸的隔挡板，用于阻隔两根熔丝爆破时冲击力的相互影响，由隔挡板将保护元件内分割为两个空腔，依然可以达到熔丝悬空的效果，在微小体积内大幅提升保护元件的抗雷击浪涌能力及分断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 雷击 晶片 保护 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种抗雷击晶片型保护元件，其特征在于：包括上盖板、下盖板、夹于上盖板和下盖板之间的承载板、承载于承载板上表面的上熔丝、承载于承载板下表面的下熔丝；所述承载板中间设有横向延伸的隔挡板，所述承载板中间位置自上表面向下凹设有上凹槽，承载板中间位置自下表面向上凹设有下凹槽，隔挡板将上凹槽及下凹槽隔为各自独立的空间，所述上熔丝的中间部分悬空在上凹槽中，下熔丝的中间部分悬空在下凹槽中。
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