[发明专利]激光造型大功率半导体器件芯片在审
| 申请号： | 201710429684.0 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108933164A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 程德明 | 申请（专利权）人： | 程德明 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74;H01L21/268 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光造型生产电力电子大功率半导体器件芯片的技术方案，解决了现今技术中，使用N型单晶硅材料制造GPP整流芯片和晶闸管芯片行业，关于少子空穴扩散进入耗尽区导致产品特性恶化的技术屏障；产品的漏电流显著减小，高温特性和后道封装成品率得到大幅提升；具有无投资风险、产业化程度高、工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率半导体器件芯片 激光造型 空穴 晶闸管芯片 产品特性 高温特性 生产电力 整流芯片 产业化 成品率 耗尽区 漏电流 减小 少子 封装 屏障 扩散 恶化 制造 投资 | ||
【主权项】：
1.一种激光造型GPP整流芯片，其结构特征在于：所述整流芯片，是指在圆单晶硅片未扩散形成PN结前，在计划扩磷的表面上，沿着布局方案中的相邻二只GPP整流芯片的交联处，用遮光盘控制激光束，在单晶硅片上烧融出一连串呈直线排列的类似锥形半孔，孔的开口端在单晶硅片的表面上，可以呈圆形、类椭圆形或长条形，孔的锥度及孔壁的光洁度无要求。
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