[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710426537.8 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108962991B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 李世平 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底、栅介电层、栅极、漏极以及源极。基底具有剖面为V形的沟槽。栅介电层位于基底上。栅介电层在沟槽的侧壁上具有第一厚度，且在沟槽外的基底上具有第二厚度。第一厚度大于第二厚度。栅极位于栅介电层上。漏极与源极分别位于栅极的相对两侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：基底，具有剖面为V形的沟槽；栅介电层，位于所述基底上，其中所述栅介电层在所述沟槽的侧壁上具有第一厚度，且在所述沟槽外的所述基底上具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；栅极，位于所述栅介电层上；以及源极与漏极，分别位于所述栅极的相对两侧的所述基底中。
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