[发明专利]存储器的制备方法及存储器在审
| 申请号： | 201710422600.0 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109003978A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 冯骏;熊涛 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种存储器的制备方法及存储器，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括用于形成多个存储单元的存储区和用于形成外围逻辑电路的外围逻辑电路区；在所述存储区采用一次光刻工艺依次形成第一栅极结构和第一浅源漏结构；在所述外围逻辑电路区采用两次光刻工艺依次形成第二栅极结构和第二浅源漏结构。本发明实施例提供了一种存储器的制备方法及存储器，采用一次光刻工艺依次形成了第一栅极结构和第一浅源漏结构，简化了整个工艺流程，节省了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 外围逻辑电路 栅极结构 浅源 制备 半导体基底 一次光刻 存储单元 工艺流程 次光 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括:提供半导体基底，所述半导体基底包括用于形成多个存储单元的存储区和用于形成外围逻辑电路的外围逻辑电路区；在所述存储区采用一次光刻工艺依次形成第一栅极结构和第一浅源漏结构；在所述外围逻辑电路区采用两次光刻工艺依次形成第二栅极结构和第二浅源漏结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
