[发明专利]高速低功耗Ti-Ge-Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用有效
| 申请号： | 201710422075.2 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107359238B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;吴卫华 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及高速低功耗Ti‑Ge‑Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用，该薄膜为掺金属元素Ti的Ge8Sb92纳米相变薄膜，其化学组成符合化学通式Tix(Ge8Sb92)1‑x，其中，x为金属Ti元素的原子百分比，且0 |
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| 搜索关键词： | 高速 功耗 ti ge sb 纳米 复合 相变 薄膜 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.高速低功耗Ti‑Ge‑Sb纳米复合相变薄膜，其特征在于，该薄膜为掺金属元素Ti的Ge8Sb92纳米相变薄膜，厚度为20‑200nm，其化学组成符合化学通式Tix(Ge8Sb92)1‑x，其中，x为金属Ti元素的原子百分比，且0<x<0.3。
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