[发明专利]III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其积体化的制作方法有效
| 申请号： | 201710418418.8 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN109004026B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 黄知澍 | 申请（专利权）人： | 黄知澍 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L27/085;H01L27/06;H01L21/335;H01L21/265;H01L21/8232;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台北市大*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。包含有一基底；一位于基底上的氮化镓高阻值层；一位于氮化镓高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝阻障层；一位于氮化镓铝阻障层内的氟离子结构；以及一位于氟离子结构上的第一闸极绝缘介电层。氮化镓铝缓冲层是阻挡缓冲层缺陷的电子进入通道层进而降低电流崩塌效应的问题；藉由上述结构制作出氮化镓加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、混合型萧特基位障二极管或混合型元件加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结构 及其 主动 元件 与其 积体化 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓铝/氮化镓磊晶结构，其特征在于，其包含有:一基底；一氮化镓高阻值层，其位于该基底上；一氮化镓铝缓冲层，其位于该氮化镓高阻值层上；一氮化镓通道层，其位于该氮化镓铝缓冲层上；一氮化镓铝阻障层，其位于该氮化镓通道层上；一氟离子结构，其位于该氮化镓铝阻障层内；以及一第一闸极绝缘介电层，其位于该氟离子结构上。
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