[发明专利]具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ‑Ⅴ族场效应晶体管在审
| 申请号： | 201710417988.5 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107425050A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | G·杜威;R·S·周;M·拉多萨夫列维奇;H·W·田;S·B·克伦德宁;R·皮拉里塞泰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/786;H01L29/20;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 邬少俊,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了具有氮掺杂的栅极电介质界面和共形的栅极电极的Ⅲ‑Ⅴ场效应晶体管(FET)。利用氮对高k栅极电介质与非平面晶体管沟道区的Ⅲ‑Ⅴ族半导体表面的界面进行非定向掺杂。在纳米线实施例中，通过将所述栅极电介质暴露于氮的液态源、汽态源、气态源、等离子体态源或固态源，在共形栅极电极沉积之前或在共形栅极电极沉积的同时执行对高k栅极电介质界面的非定向氮掺杂。在实施例中，栅极电极金属共形沉积在所述栅极电介质之上，并且执行退火以沿着所述非平面Ⅲ‑Ⅴ半导体界面在所述栅极电介质内均匀地累积氮。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 电极 电介质 界面 掺杂 平面 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种非平面半导体器件，包括：半导体纳米线；设置在所述半导体纳米线周围的栅极电介质层，其中，所述栅极电介质层在所述栅极电介质层的整个厚度包括不均匀的氮浓度；以及设置在所述栅极电介质层之上的栅极电极。
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