[发明专利]一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺有效
| 申请号： | 201710417470.1 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107134487B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 彭强祥;刘巧灵;廖敏;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋静娜;郝传鑫 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化铪的铁电栅结构，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层，所述铁电层的材料包含氧化铪。本发明还公开了一种基于氧化铪的铁电栅结构的制备工艺。本发明所述基于氧化铪的铁电存储器铁电栅结构既具有优异的电学性能，又能使整个铁电存储器存储介质的纵向尺寸减小10～20倍以上，并且能与硅工艺良好地兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 铁电栅 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种基于氧化铪的铁电栅结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底的表面上依次层叠有缓冲层、底电极层、铁电层和顶电极层，所述铁电层的材料包含氧化铪。
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