[发明专利]存储器元件及其制作方法

摘要

一种存储器元件，包括：多层堆叠结构(multi‑layers stack)、电荷储存层、第一通道层以及串列选择(String Selection，SSL)开关。多层堆叠结构包括交错堆叠的多个导体层和绝缘层以及至少一个第一贯穿开口，贯穿这些绝缘层和导体层。电荷储存层毯覆于第一贯穿开口的侧壁上。第一通道层位于第一贯穿开口中。串列选择开关，位于多层堆叠结构上，包括：第二通道层、栅极介电层和栅极。第二通道层位于第一通道层上方，并与第一通道层电性接触。栅极介电层位于第二通道层上，且具有与电荷储存层相异的材质。栅极位于栅极介电层上。

主权项

1.一种存储器元件，包括：一多层堆叠结构(multi‑layers stack)，包括交错堆叠的多个导体层和多个绝缘层以及至少一第一贯穿开口，贯穿该些导体层；一电荷储存层，毯覆于该第一贯穿开口的一侧壁上；一第一通道层，位于该第一贯穿开口中；以及一串列选择(String Selection，SSL)开关，位于该多层堆叠结构上，包括：一第二通道层，位于该第一通道层上方，并与该第一通道层电性接触；一栅极介电层，位于该第二通道层上，且具有与该些电荷储存层相异的一材质；以及一栅极，位于该栅极介电层上。