[发明专利]基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法

摘要

本发明公开了一种基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法，其包括在Fe掺GaN衬底表面生长一MoS2薄膜层；以及在MoS2薄膜层的表面生长一SiO2层；其中，在MoS2薄膜层上制备两Au欧姆接触电极，作为源极和漏极，在MoS2薄膜层上制备一肖特基接触电极，作为栅极。本发明通过在Fe掺GaN衬底上制备的MoS2光电探测器，Fe掺是为了保证衬底半绝缘，二维MoS2薄膜层实现对光的直接充分吸收，载流子的分离和收集，通过控制MoS2薄膜的层数改变带隙实现探测器探测波长的可调；Fe掺GaN衬底与MoS2薄膜层形成的界面带阶、以及GaN的压电特性有助于降低探测器暗电流，提高探测器的光电响应。

主权项

一种基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器的制备方法，其特征在于：S1：将Fe掺GaN衬底进行清洗；S2：将清洗后的Fe掺GaN衬底放入CVD设备中生长硫化钼材料，使其在Fe掺GaN衬底表面生长一MoS2薄膜层；S3：在MoS2薄膜层的表面生长一SiO2层；S4：在MoS2薄膜层上制备两Au欧姆接触电极，使其分别为二硫化钼光电探测器件的源极和漏极，并在MoS2薄膜层上制备一肖特基接触电极，使其为二硫化钼光电探测器件的栅极。