[发明专利]一种采用原位磁场来调控原子层沉积薄膜磁性的方法有效

专利信息
申请号: 201710405411.2 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN107177834B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 刘明;张易军;张乐;任巍;叶作光 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/40
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种采用原位磁场来调控原子层沉积薄膜磁性的方法,目的在于,制备的Fe3O4薄膜的磁各向异性明显,具有更高的矫埦场,且Fe3O4薄膜表面形貌均匀,粗超度小,所采用的技术方案为,包括:1)将洁净的基片放置在永磁体的磁极上,并将基片和永磁体置于真空反应腔体中加热备用,且加热温度小于永磁体的居里温度;2)以二茂铁蒸汽作为铁源,以氧气作为氧源,将二茂铁蒸汽和氧气交替脉冲送入真空反应腔体中,对基片进行若干次原子层沉积循环,直至基片的表面上均匀沉积有保形的Fe3O4薄膜;3)向真空反应腔体中充入惰性气体,待基片自然冷却至室温后取出。
搜索关键词: 一种 采用 原位 磁场 调控 原子 沉积 薄膜 磁性 方法
【主权项】:
1.一种采用原位磁场来调控原子层沉积薄膜磁性的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将洁净的基片放置在永磁体的磁极上,并将基片和永磁体置于真空反应腔体中加热备用,且加热温度小于永磁体的居里温度;所述步骤1)中基片的洁净处理包括:首先分别用丙酮和无水乙醇依次清洗基片10~15分钟;然后用去离子水反复超声清洗3~5次,每次各5~10分钟;最后清洗完成后将基片取出用干燥的氮气吹干;2)以二茂铁蒸汽作为铁源,以氧气作为氧源,将二茂铁蒸汽和氧气交替脉冲送入真空反应腔体中,对基片进行若干次原子层沉积循环,直至基片的表面上均匀沉积上保形的Fe3O4薄膜;所述步骤2)中每个原子层沉积循环包括:首先进行1~4s氧气源脉冲;然后用氮气清洗6‑16s;其次进行0.1~0.4s二茂铁源脉冲;最后用氮气清洗6~16s;3)向真空反应腔体中充入惰性气体,待基片自然冷却至室温后取出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710405411.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top