[发明专利]交错式变压器及其制造方法有效
申请号: | 201710399461.4 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN107452710B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | V·瓦努库鲁 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/64;H01F27/28 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及交错式变压器及其制造方法,所揭示的是一种高效能晶载变压器,其具有交错的初级与次级绕组,用来达到更高的耦合系数,并且提供所欲的阻抗变换。此初级绕组是由二或更多个平行传导绕组路径或节段所构成。此次级绕组嵌入于初级绕组的平行路径里。变压器初级与次级螺旋匝使用通过将次级与初级螺状物的一部分断开所制作的下跨道/上跨道连接予以结合在一起。导电交越接面亦用于横过初级绕组的螺旋匝建立相等路径长度以使磁性损耗降到最小,并因而使射频条件下的螺状物电阻降到最小。再者,贯孔与交越接面亦用于以内外及上下方式串联堆叠次级的绕组以增强次级电感,并因而增强阻抗变换。 | ||
搜索关键词: | 交错 变压器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于集成电路的平面型变压器,该变压器具有嵌入式线圈结构,其包含:初级绕组或线圈匝,包括于其之间具有距离的至少两个实质平行传导路径节段;以及次级绕组或线圈匝,在该初级线圈的该两条传导路径之间包含嵌入的次级传导路径节段。
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