[发明专利]交错式变压器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710399461.4 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN107452710B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: V·瓦努库鲁 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/64;H01F27/28
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及交错式变压器及其制造方法,所揭示的是一种高效能晶载变压器,其具有交错的初级与次级绕组,用来达到更高的耦合系数,并且提供所欲的阻抗变换。此初级绕组是由二或更多个平行传导绕组路径或节段所构成。此次级绕组嵌入于初级绕组的平行路径里。变压器初级与次级螺旋匝使用通过将次级与初级螺状物的一部分断开所制作的下跨道/上跨道连接予以结合在一起。导电交越接面亦用于横过初级绕组的螺旋匝建立相等路径长度以使磁性损耗降到最小,并因而使射频条件下的螺状物电阻降到最小。再者,贯孔与交越接面亦用于以内外及上下方式串联堆叠次级的绕组以增强次级电感,并因而增强阻抗变换。
搜索关键词: 交错 变压器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种用于集成电路的平面型变压器,该变压器具有嵌入式线圈结构,其包含:初级绕组或线圈匝,包括于其之间具有距离的至少两个实质平行传导路径节段;以及次级绕组或线圈匝,在该初级线圈的该两条传导路径之间包含嵌入的次级传导路径节段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司,未经格罗方德半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710399461.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top