[发明专利]氮化镓器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710396484.X | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107039373A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 母凤文;赫然 | 申请（专利权）人： | 母凤文;赫然 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100044 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高散热性能的氮化镓器件结构及其制备方法，该结构包括氮化镓芯片、刻蚀停止层和金刚石散热层，刻蚀停止层具有一第一表面，作为生长界面，金刚石散热层生长于刻蚀停止层的第一表面上；刻蚀停止层具有一与第一表面相对的第二表面，作为键合界面，氮化镓芯片键合于刻蚀停止层的第二表面上；刻蚀停止层由高热导率材料构成。氮化镓芯片与金刚石键合结构的制造方法为低温工艺，避免了高温下热失配产生的翘曲问题，且不对已有器件造成破坏，可实现带有器件的氮化镓晶圆或芯片与较薄金刚石层的集成，无需使用自支撑的金刚石厚膜基板，可在保证增强散热性能的同时显著降低成本，解决了氮化镓散热方案成本较高且散热效果差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓器件结构，该氮化镓器件结构包括一氮化镓芯片、一刻蚀停止层和一金刚石散热层，其中：该刻蚀停止层具有一第一表面，作为生长界面，该金刚石散热层生长于该刻蚀停止层的该第一表面上；该刻蚀停止层具有一与所述第一表面相对的第二表面，作为键合界面，该氮化镓芯片键合于该刻蚀停止层的该第二表面上。
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