[发明专利]一种高压启动电路在审
申请号: | 201710395053.1 | 申请日: | 2017-05-30 |
公开(公告)号: | CN107147279A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种高压启动电路,属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一电阻一端接输入端,另一端接第一齐纳二极管的负端、第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的漏极;第一齐纳二极管的正端接第二齐纳二极管的负端;第二齐纳二极管的正端接地;第二电阻的一端接输入端,另一端接第一NMOS晶体管的漏极;第一NMOS晶体管的源极接第三齐纳二极管的正端;第三齐纳二极管的负端接输出端;电压检测模块的输入接输出端,输出接第二NMOS晶体管的栅极;第二NMOS晶体管的源极接地。本发明的高压启动电路具有启动速度快,启动结束后静态功耗低的特点,极大的加速了开关电源的启动过程,提高了开关电源的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 启动 电路 | ||
【主权项】:
一种高压启动电路,其特征在于,包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第一齐纳二极管D1、第二齐纳二极管D2、第三齐纳二极管D3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和电压检测模块;第一电阻R1一端接输入端SW,另一端接第一齐纳二极管D1的负端、第一NMOS晶体管N1的栅极和第二NMOS晶体管N2的漏极;第一齐纳二极管D1的正端接第二齐纳二极管D2的负端;第二齐纳二极管D2的正端接地;第二电阻R2的一端接输入端SW,另一端接第一NMOS晶体管N1的漏极;第一NMOS晶体管N1的源极接第三齐纳二极管D3的正端;第三齐纳二极管D3的负端接输出端VDD;电压检测模块的输入接输出端VDD,输出接第二NMOS晶体管N2的栅极;第二NMOS晶体管N2的源极接地。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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