[发明专利]一种三态产生电路在审
申请号: | 201710395043.8 | 申请日: | 2017-05-30 |
公开(公告)号: | CN107196642A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种三态产生电路,属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一电阻一端接电源,另一端接第一二极管的正端;第一二极管的负端接第二二极管的正端;第二二极管的负端接输入端口;第二电阻的一端接输入端口,另一端接地;第三电阻一端接电源,另一端接第一NMOS管的漏极和第一反相器的输入;第一NMOS管的栅极接输入端口,源极接地;第一反相器的输出接第一输出端口;第一PMOS管的源极接电源,栅极接输入端口,漏极接第四电阻的一端和第二反相器的输入;第四电阻的另一端接地;第二反相器的输出接第二输出端口。该三态产生电路的输入IO用一个IO就可以表征3个逻辑状态,从而减小了芯片面积、节约了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 三态 产生 电路 | ||
【主权项】:
一种三态产生电路,其特征在于,包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、第一NMOS晶体管N1、第一PMOS晶体管P1、第一反相器INV1、第二反相器INV2;第一电阻R1一端接电源VDD,另一端接第一二极管D1的正端;第一二极管D1的负端接第二二极管D2的正端;第二二极管D2的负端接输入端口IN;第二电阻R2的一端接输入端口IN,另一端接地;第三电阻R3一端接电源,另一端接第一NMOS晶体管N1的漏极和第一反相器INV1的输入;第一NMOS晶体管N1的栅极接输入端口IN,源极接地;第一反相器INV1的输出接第一输出端口OUT1;第一PMOS晶体管P1的源极接电源VDD,栅极接输入端口IN,漏极接第四电阻R4的一端和第二反相器INV2的输入;第四电阻R4的另一端接地;第二反相器INV2的输出接第二输出端口OUT2。
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